| 型号： | IXSQ10N60B2D1 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | IXYS | 描述： | IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO-3P |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 |
| IXSQ10N60B2D1 PDF |  |
| 标准包装 | 30 |
| 系列 | - |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.5V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 20A |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 输入类型 | 标准 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 包装 | 散装 |